Pavisam nesen tika prezentēts jaunais Canon EOS 50D fotoaparāts, bet reti kurš piefiksēja to, ka ir sasniegts jauns tehnoloģisks progress CMOS sensoru izstrādē. Ja Canon EOS 40D fotoaparātam bija 10.1 megapikseļi, tad jaunajam modelim uz tāda paša sensora izmēra ir jau 15.0 megapikseļi. Jaunajam CMOS sensoram ir piestrādāts pie foto diodēm un mikrolēcām, lai sasniegtu šo unikālo sniegumu APS-C sensoru tirgū. Vēl sensoram ir par 1-1.5 stopu labāks ISO trokšņu līmenis (zemāks), salīdzinājumā ar vecāko 40D modeli. Tāpat tiek solīts labāks dinamiskais diapazons. Jauno tehnoloģiju ilustrējuši DP Review 3-šajā lapā: dpreview.com
No oficiālās Canon EOS 50D preses relīzes varam lasīt:
A newly designed 15.1 Megapixel CMOS sensor delivers ultra-detailed, low-noise images - ideal for large-scale reproduction or creative cropping. New manufacturing processes, plus redesigned photo diodes and microlenses, extend the light gathering capabilities of the sensor - allowing more pixels to be fitted on the CMOS sensor without compromising image quality. These changes ensure improved high ISO performance and low noise. High-speed, low light shooting is enabled by ISO levels of 3200, expandable to an ultra-sensitive 12800.
Tīri matemātiski var aprēķināt pikseļa izmērus Canon fotoaparātiem:
Canon EOS 10D 22.7 x 15.1mm 7.4µm
Canon EOS 20D 22.5 x 15.0mm 6.4µm
Canon EOS 30D 22.5 x 15.0mm 6.4µm
Canon EOS 40D 22.2 x 14.8mm 5.7µm
Canon EOS 50D 22.3 x 14.9mm 4.7µm
No kā varam secināt, ka jaunā CMOS tehnoloģija ir patiešām iespaidīga. Varbūt tur lielu lomu spēlē arī DIGIC 4 procesors, bet secinājums ir viens - salīdzinājumā ar iepriekšējo 40D modeli, šim jaunajam 50D fotoaparātam ir būtiski uzlabojumi tehnoloģiju ziņā.